买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10L-200BRN,11 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10L-200BRN,11

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 0.7 GHz to 1 GHz
增益 20 dB
输出功率 40 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 49 A
闸/源击穿电压 +/- 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-502A
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10L-200BRN,11
BLF6G10L-260PBM,11
BLF6G10L-260PRN,11
供应商
公司名
电话
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳市鹏拓发展电子 0755-82773839 马先生 林先生 马小姐
林沃田信息技术(深圳)有限公司 0755-82781160 岳先生 田小姐
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
  • BLF6G10L-200BRN,11 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价